福建师范大学学报(自然科学版)

1997, (04)

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半导体量子点中LO声子对类氢杂质的影响
The LO Phonons Effect on the Hydrogenlike Impurity State  in Semiconductor Quantum Dot

王一中,陈利永

摘要(Abstract):

采用变分法从Fro¨hlich哈密顿量出发,研究了LO声子对球形量子点中类氢杂质基态能的影响,并将结果应用到GaAs/Ga1-xAlxAs材料中.研究表明LO声子对GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0.3)为材料的量子点中类氢杂质基态能影响很小.

关键词(KeyWords): 光频声子,量子点,基态能

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 王一中,陈利永

参考文献(References):

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