砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响The Influence Upon SI GaAs's Character by Different Arsenic Pressure in the Process of Heat Treatment
王松柏,张声豪
摘要(Abstract)：
采用 5种经不同砷压但相同生长温度 ( 1 0 0 0℃ )和时间 ( 5 h)处理的半绝缘 ( SI) Ga As样品 ,利用表面光伏 ( SPV)方法 ,测量和计算了 SI-Ga As在室温 ( 30 0 K)下的主要施主浓度 EL2 、禁带宽度 EgΓ和双极扩散长度 La,并从理论上给出了相应的解释 .
关键词(KeyWords)： 砷压热处理;主要施主浓度EL2;禁带宽度EgΓ;双极扩散长度La
基金项目(Foundation): 福建省教育厅基金资助项目 ( JB0 10 16 )
作者(Author): 王松柏,张声豪
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